工作条件
l 宽电压工作范围：2.0V~5.5V.
l 工业级工作温度： -40℃ ~ +105℃.
抗干扰能力
l ESD 6KV
l EFT 4KV
封装类型
l 28 PIN: SOP28 / TSSOP28
CPU
l 超高速1T 8051内核， 指令集全兼容8051，执行速度约为其它1T 8051的2倍
l 双数据指针（DPTRs）
存储
l 32 Kbytes Flash ROM
n 分为64个扇区（sector），每个sector 为512 bytes
n 可反复写入10万次
n 25℃环境下数据可保存100年以上
l IAP (In Application Programming)：可通过Code Option设置项将Flash允许IAP操作的范围设为：0K、1K、2K或32K
l BootLoader：内置1 Kbytes LDROM
n 可通过Code Option设置项选择从APROM或LDROM启动
l Unique ID： 96 bits Unique ID，存放IC的唯一识别码
l SRAM
n 内部256 bytes 片内直接存取RAM
n 4 Kbytes外部RAM(XRAM)
n 16 bytes片内间接存取RAM通过MOVX指令读写PWM 占空比SFR：1040H~104FH 共16 bytes
时钟源
l 内建高频 32MHz 振荡器（HRC）
n IC的系统时钟频率（fSYS），可通过编程器选择设定为： 32/16/8/4MHz
n 全电压范围内(2.0V~5.5V)：
u -20 ~ 85℃应用环境，频率误差不超过 ±1%
u -40 ~ 105℃应用环境，频率误差不超过 ±2%
n 可通过32.768kHz外接晶振进行自动校准，校准后HRC精度可无限接近外接32.768kHz晶振的精度
l 内置低频晶体振荡器电路：可外接32.768kHz振荡器，作为Base Timer 时钟源
l 内建低频 32.768kHz 振荡器 (LRC)：作为Base Timer及WDT的时钟源
低电压复位（LVR）
l 复位电压有4级可选： 4.3、3.7V、2.9V、1.9V，缺省值为用户烧写Code Option所选值
Flash烧写和仿真
l 2线JTAG烧写、仿真接口，支持带电仿真
中断（INT）
l 共16个中断源：Timer0~4，INT0~2，ADC，PWM，UART，USCI0~2，Base Timer，TK
l 外部中断有3个中断向量，共13个中断口，全部可设上升沿、下降沿、双沿中断
l 两级中断优先级可设
数字外围
l 最大26个双向可独立控制的 I/O口，可独立设定上拉电阻
l 全部I/O口源驱动能力分四级控制
l 全部I/O具有大灌电流驱动能力（50mA）
l 内置WDT，可选时钟分频比
l 5个定时器Timer0~4
l 8路16位PWM
n 可设为独立模式或互补模式：独立模式下8路PWM共周期，占空比可单独设置；互补模式下可同时输出四组互补、带死区的PWM波形
n 输出波形可反向，可设为中心对齐型或边沿对齐型
n SC95F8523 / SC95F8522的PWM支持故障检测机制
l 1个独立UART通信口UART0
l 3个UART/SPI/TWI三选一USCI通信口
n USCI0具有7816模式
n USCI0的SPI接口主模式下具有16位8级的读/写FIFO缓存
l 集成16 ×16位硬件乘除法器
l 内建CRC校验模块
模拟外围
l 23路双模触控电路
n 高灵敏度模式可适应隔空按键触控、接近感应等对灵敏度要求较高的触控应用
n 高可靠模式具有很强的抗干扰性，可通过10V动态CS测试
n 支持低功耗模式
n 全套开发支持：高灵活触控软件库，智能化调试软件
l 11路12位高速 ADC
n 1MHz超高速采样时钟，采样到完成转换的总时间低至2μs
n 3种参考电压可选：内部的2.048V、内部的1.024V和VDD
n 内部一路ADC可直接测量1/4VDD电压
省电模式
l IDLE Mode，可由任何中断唤醒
l STOP Mode，可由 INT0~2、Base Timer和TK唤醒
