导读：日前，中国电科第二研究所宣布，团队自研设备目前已实现4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离，取得突破性进展。

来源：中国电科第二研究所

据中电科二研所发布的信息，激光剥离设备有机结合激光精密加工和晶体可控剥离，实现半导体晶体高可靠切片工艺，可将晶体切割损耗降低60%以上，加工时间减少50%以上，并实现晶体加工整线的高度自动化。

激光剥离可用于碳化硅、氮化镓、金刚石等硬脆半导体材料加工，实现衬底成本的大幅降低，亦可扩展至电力电子与微波射频芯片制造、异质材料复合衬底制造、集成电路先进封装等领域，实现晶圆减薄、解键合等先进工艺，支撑国防军工、下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网等产业的创新发展及国家安全、新基建、双碳经济等国家重大战略的实施，被誉为半导体材料制备领域的“光刻机”。

目前，团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，基于工艺与装备的协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离，取得突破性进展。下一阶段，激光剥离项目将以“大尺寸化、快速生产化、高良率化、全自动化、低能耗化”为目标，迅速开展由碳化硅晶锭至合格衬底片的自动化设备贯线，真正解决国家第三代半导体关键技术问题，为国家发展贡献力量。